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明年将是中国芯片创造辉煌的一年,有三大理由

2019-12-17

 说起我国芯,那真的是陈词滥调了。不过尽管是谈了又谈,但这个论题一直是咱们重视的焦点,原因就在于国内对芯片的需求太大了,一起我国芯的实力又比较弱,所以咱们

说起我国芯,那真的是陈词滥调了。不过尽管是谈了又谈,但这个论题一直是咱们重视的焦点,原因就在于国内对芯片的需求太大了,一起我国芯的实力又比较弱,所以咱们都期望我国芯可以兴起,少进口,少依靠国外,进步自给率。

不过从现在的状况来看,下一年将是我国芯片发明光辉的一年,前些年种下的种子,可能在下一年要开端开花结果了。

为什么我以为下一年将是我国芯片发明光辉的一年?我三大理由:

1、现在我国的芯片制作水平上来了

咱们知道制作是芯片整个出产流程中难度最大的一个环节,也是国内最弱的一个环节,但今年中芯世界现已可以量产14nm的芯片了,年末将进入12nm阶段。

尽管12nm和台积电的7nm有2代距离,但现在全球60%以上的芯片是根据14nm或更差的工艺来出产的,下一年中芯世界产能爬坡,能承受更多的订单后,国内芯片制作才能就上了一个新台阶了。

2、现在我国5G芯片现已爆发了

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